前言
在全球功率半导体行业内动作频频，关键技术不断取得突破，晶圆厂大规模的产能扩张稳步推进，新品接连发布，功率半导体这一赛道因此绽放出前所未有的蓬勃活力。为了助力广大读者精准把握功率半导体行业新品的最新走向，我们全面整理了近期一系列新品案例，力求让大家能于一文之中，尽览行业前沿新动态。
本文排序不分先后，按品牌英文首字母顺序排列。
CRMICRO华润微
华润微电子推出G5-IPM模块
华润微基于8英寸成熟工艺平台，推出适用于电机驱动场景的CRM60GHXXEB系列G5-IPM 模块。该模块采用Trench FS V IGBT 技术，以 DIP-24B 封装，覆盖 600V 电压平台 15/20/30A 电流规格，性能优于G3系列，通过优化动态特性、增强抗闩锁能力，其性能与运行稳定性更佳。
G5-IPM系列产品晶圆良率高，芯片结温达175℃，饱和压降低10%，开关损耗降 35%，适配变频器、伺服电机、空调压缩机等应用场景，保障设备高效稳定运行。8 英寸晶圆工艺量产，兼具高性能与成本优势，较G3开关损耗降 33%，FT 良率提高 1-2 个百分点，已向头部客户大批量供货并通过标杆客户验证。
CT-UNITE中科无线
中科无线半导体发布新一代机器人专用智能快充芯片
近日中科无线半导体发布氮化镓（GaN）新一代ASIC智能快充芯片（CT-3602、CT1020、CT1007与CT-1901）四个型号，通过“AI ASIC芯片+GaN HEMT”集成的差异设计，是专业为具身机器人定制的智能快充专用安全芯片方案。
本次中科无线半导体发布的氮化镓（GaN）ASIC智能快充芯片（CT-3602、CT1020、CT1007与CT-1901）四个型号，是为机器人定制化的快充专用芯片，该芯片包括了1000W、200W、100W、65W四种规格，是专业为家庭机器人、工业机器人、医疗机器人等高功率高倍率电池充电应用场景设计的专用智能超充ASIC芯片解决方案。
Infineon英飞凌
英飞凌推出OptiMOS 6 150V功率MOS
英飞凌OptiMOS 6 150 V产品适用于电信和服务器SMPS、电动叉车、LEV、太阳能优化器、大功率 USB 充电器等场景应用。相较于OptiMOS 5，其RDS（on）低至 41%，FOMg低 20%，FOMgd 低17%，拥有业内150V最低Qrr，且二极管软度改善、Vgs（th）范围严格、雪崩耐用性强，最大Tj 175°C，可靠性高。
OptiMOS 6 150 V 系列具备低损耗、运行稳定、EMI改善等优势，可提升系统可靠性和使用寿命，其封装多样，包括 SuperSO8、PQFN 3.3x3.3、TOLG、TOLL、TOLT、D²PAK 3 针、D²PAK 7 针、TO-220 等，适用于轻型电动汽车、电动叉车、电信SMPS、服务器SMPS、工业开关电源、太阳能、USB-PD 适配器和充电器、电动工具和园艺工具等众多目标应用。
Innoscience英诺赛科
英诺赛科新品氮化镓剑指快充All GaN市场
英诺赛科面向PD快充“All GaN”场景推出En-FCLGA 3.3x3.3和5x6新品，可直接PIN TO PIN替换DFN 3.3x3.3及5x6封装的传统硅MOS，可以与Si MOS共板设计，降低开发成本。
英诺赛科新推出的En-FCLGA 封装氮化镓器件，具备更低驱动损耗、更低反向恢复损耗、更低导阻、散热性能更强等优势，且与Si MOS DFN 3x3、5x6 PIN TO PIN，可共板设计；同时还可与高压InnoGaN联动，形成一站式All GaN快充方案，能有效提升整机效率、抑制温升、压缩适配器体积，推动快充行业向更高功率密度、更优性能方向进化。
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1、英诺赛科新品氮化镓剑指快充All GaN市场
英诺赛科发布100V低边驱动IC，拓展VGaN生态系统
英诺赛科推出全球首款100V低边驱动芯片INS1011SD，可优化40V~120V 双向 VGaN的栅极驱动，简化BMS中的低边电池保护，具有超低功耗、高速开关、强驱动力、广泛兼容性、宽工作电压与高耐压等优点，采用标准 SOP-8 封装。
该组合能替代传统背靠背Si MOS及其驱动方案，减小系统尺寸和重量、降低成本、提升效率，且兼容现有主流控制逻辑，适用于电池管理系统、储能电池包、电动交通电池保护、不间断电源和电动工具等，推动氮化镓技术广泛应用，构建完善生态。
Primechip元芯半导体
元芯推出DrMOS新品——元芯YX47590
为应对AI数据中心、高密度服务器系统低压大电流、高效率和高可靠性的严峻挑战。元芯半导体推出应用于12V最高耐压为30V（BV=30V）的 YX47590 DrMOS 智能功率级，成为数据中心电源解决方案的理想选择。
YX47590是一款集成了Si FET的高性能半桥栅极智能功率级。它集成了30V的栅极智能功率级和自举二极管，并支持三重栅极 PWM 输入。其超短的传播延迟和快速的上升和下降时间.YX47590具有输出电流和温度感应功能，并向控制器报告。内置欠压锁定（UVLO）、过温保护（OTP）、高压侧 MOSFET 短路保护（HSS）和过流保护（OCP）有助于确保器件安全可靠地运行。其优化设计确保了从智能功率级到功率晶体管的最低传播延迟，使其成为高频应用的理想选择。智能功率级信号输入与常用的三态PWM兼容，提供灵活的功率级控制。死区时间可通过外部电阻器进行调整，以获得更好的效率或系统可靠性。
SHIKUES时科
时科推出800V耐压超结MOS SKJ10N80B
时科推出的SKJ10N80B是一款800V 耐压、10A电流、导阻410mΩ的多重外延结构超结MOS，采用TO-25 封装。其具备高压能力、低损耗、优异开关性能、高可靠性等优势，适用于多种高压功率转换场景。
在应用方面，SKJ10N80B广泛用于 AC-DC 反激式电源、不间断电源（UPS）、工业控制模块、电池充电与能源管理系统、高压照明驱动等领域，能满足高压转换设备对高可靠性和高集成度的需求，是时科技术沉淀与创新的体现，为客户提供了性能稳定、设计高效、交付可靠的功率器件解决方案。
SI深爱半导体
深爱半导体发布全新IPM模块
深爱半导体推出SIC213XBER/SIC214XBER单相IPM模块系列，采用ESOP-9封装，具备高效率、紧凑性、可靠性和成本效益，适用于小型家电，集成散热、温度监测、低功耗 MOSFET 和保护功能。
该系列模块在散热设计、温度监控、转换效率和保护机制方面表现出色，助力家电与工业驱动领域实现高效低碳发展，满足高速风筒、变频水泵、高压吊扇等应用的动力核心需求，加速产品上市时间，彰显深爱半导体在功率集成技术革新中的引领地位。
Vishay威世
威世推出Gen 3 650 V和1200 V SiC肖特基二极管
威世推出三款小尺寸薄型SlimSMA HV（DO-221AC）封装的第三代650 V和1200 V 碳化硅肖特基二极管，包括1A的VS-3C01EJ12-M3和2A的VS-3C02EJ07-M3、VS-3C02EJ12-M3。这些二极管采用MPS设计，爬电距离达 3.2 mm，兼具低容性电荷和温度不变的开关特性，可提升高速硬开关电源效率。其封装用 CTI≥600 的模制化合物，电绝缘性出色，厚度仅0.95 mm，相比竞品优势明显，且在任何温度下都能保持低容性电荷，加快开关速度，降低功率损耗，提高高频应用效率，几乎无恢复尾电流，MPS 结构降低正向压降。
三款二极管工作温度高达+175℃，适用于服务器电源、发电存储系统、工业设备及 X 射线发生器等，具有正温度系数，便于并联。同时，符合 RoHS 标准，无卤素，湿度灵敏度等级 1，满足 J-STD-020 和 JESD 201第二类 whisker测试要求。
Wolfspeed
Wolfspeed推出第四代1200V车规级裸芯片碳化硅MOSFET
Wolfspeed 推出的第四代1200 V车规级碳化硅裸芯片MOSFET系列，专为汽车环境设计，具有无封装裸芯片设计、高阻断电压、低导通电阻、高速开关及低电容等特性，还通过车规级认证，具备抗闩锁效应、高栅极电阻便于驱动、高电容比等优势，可灵活集成于定制模块中，是汽车动力总成系统与电机驱动应用的理想解决方案。
该系列芯片可在185°C下持续工作，通过降低开关损耗和导通损耗提升系统效率，助力减小系统体积、减轻系统重量、减少冷却需求，支持高开关频率工作，易于并联，兼容标准栅极驱动设计，其典型应用包括汽车动力总成、电机驱动、固态断路器和谐振拓扑等领域。
YJ杨杰科技
杨杰科技发布P60V MOSFET新品
扬杰科技近日推出了一系列用于汽车电子的P60V MOSFET产品，产品具有较低的导通电阻Rdson和栅极电荷Qg，明显降低导通和开关损耗，可以支持更高频率与动态响应，同时优化MOS产品EAS能力，提高了产品的可靠性。
该系列器件采用先进工艺技术，内阻低，开关特性优；在封装层面采用PDFN5060、TO-252、SOP8等封装，适用于车载大功率应用；而工作结温 Tj(max) = 175℃，出色的散热性能，优异的温升表现。可在DC-DC电路以及电源管理等场景应用。
充电头网总结
功率半导体行业正不断突破升级。从低电压到高耐压，从高导阻到低损耗，各品类产品持续优化，封装工艺日益精湛，应用场景也愈发广泛。每一次技术演进，都为电源系统效率与可靠性带来质的飞跃，推动着数据中心、新能源汽车、工业设备等多领域快速发展。随着研发深入与创新加速，功率半导体还将不断迭代，为全球电子产业注入强大动力，引领行业迈向更高台阶。
以上便是本次多款功率器件新品汇总的全部内容，如您需要持续了解功率半导体行业风向，您可以关注充电头网，我们将会持续为您整理业界最新动向。
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